Badano domieszkowanie β-Ga₂O₃ (100) krzemem metodą implantacji jonowej prowadzonej na podgrzewanych podłożach. Wyniki wskazują na złożone procesy defektowe indukowane wiązką jonową w β-Ga₂O₃, charakteryzujące się powstawaniem różnych typów defektów oraz ich transformacją zależną od temperatury. Zastosowanie dyfrakcji rentgenowskiej (X-Ray Diffraction, XRD), spektrometrii wstecznego rozpraszania Rutherforda (Rutherford Backscattering Spectrometry, RBS), emisyjnej spektrometrii rentgenowskiej indukowanej cząstkami (Particle-Induced X-Ray Emission, PIXE), spektroskopii struktury bliskiej krawędzi absorpcji rentgenowskiej (X-ray Absorption Near Edge Structure, XANES), transmisyjnej mikroskopii elektronowej (Transmission Electron Microscopy, TEM) oraz obliczeń w ramach teorii funkcjonału gęstości (Density Functional Theory, DFT) umożliwiło analizę deformacji sieci krystalicznej, identyfikację lokalnego otoczenia domieszek, ocenę modyfikacji struktury elektronowej oraz potwierdzenie obecności defektów rozciągłych indukowanych implantacją jonową. Uzyskane wyniki wskazują, że dominujący wkład w przewodnictwo typu n pochodzi od jonów krzemu zajmujących pozycje podstawieniowe i międzywęzłowe, wbudowanych w kompleksy defektowe działające jako donory, podczas gdy część defektów tworzy kompleksy pełniące rolę pułapek nośników ładunku. Co istotne, w trakcie implantacji nie zaobserwowano żadnych przemian fazowych w obrębie struktury monoklinicznej, mimo zmian temperatury podłoża w zakresie od 300 do 800 °C.